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Référence Digi-Key IRF9Z34NPBF-ND
Quantité disponible 4 791
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF9Z34NPBF

Description MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
Description étendue P-Channel 55V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 35nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 620pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 68W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 100 mOhms à 10A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF9Z34NPBF
SP001560182

03:03:52 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,19000 1,19
10 1,06700 10,67
100 0,83220 83,22
500 0,68750 343,75
1 000 0,54277 542,77

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