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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF9Z24NPBF-ND
Quantité disponible 3 388
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF9Z24NPBF

Description MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB
Description étendue P-Channel 55V 12A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF9Z24NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF9Z24NPBF Saber Model
IRF9Z24NPBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 19nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 350pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 175 mOhms à 7,2A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF9Z24NPBF
SP001555934

03:33:20 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,08000 1,08
10 0,96600 9,66
100 0,75280 75,28
500 0,62186 310,93
1 000 0,49094 490,94

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