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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF9540NPBF-ND
Quantité disponible 5 303
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF9540NPBF

Description MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB
Description étendue P-Channel 100V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF9540NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 97nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 140 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 117 mOhms à 11A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF9540NPBF
64-0103PBF
64-0103PBF-ND
SP001560174

10:08:47 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,06000 1,06
10 0,94500 9,45
100 0,73730 73,73
500 0,60908 304,54
1 000 0,48086 480,86

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