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Référence Digi-Key IRF7493PBFCT-ND
Quantité disponible 4 853
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF7493TRPBF

Description MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
Description étendue N-Channel 80V 9.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 53 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1510 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 15 mOhms à 5,6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SO
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms *IRF7493TRPBF
IRF7493PBFCT

21:50:08 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,34000 1,34
10 1,20200 12,02
100 0,93780 93,78
500 0,77466 387,33
1 000 0,61158 611,58

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : IRF7493PBFTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 4 000
  • Quantité disponible: 4 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,55419
  • Digi-Reel® ? : IRF7493PBFDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 4 853 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
  • Tube ? : IRF7493PBF-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 800  Non stocké ?
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,55418
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