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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF640NPBF-ND
Quantité disponible 3 244
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF640NPBF

Description MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Description étendue N-Channel 200V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF640N(S,L)PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 67 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1160 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 150 mOhms à 11 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF640NPBF
SP001570078

15:19:37 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,43000 1,43
10 1,28700 12,87
100 1,03410 103,41
500 0,84958 424,79
1 000 0,70393 703,93

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