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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF630NPBF-ND
Quantité disponible 1 521
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF630NPBF

Description MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF630N
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Assemblage/origine PCN TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,3A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 300 mOhms à 5,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 35nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 575pF à 25V
Puissance max. 82W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF630NPBF
SP001564792

07:40:05 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,18000 1,18
10 1,05700 10,57
100 0,82430 82,43
500 0,68092 340,46
1 000 0,53757 537,57

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