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Référence Digi-Key IRF630NPBF-ND
Quantité disponible 363
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF630NPBF

Description MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
Description étendue N-Channel 200V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF630N
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 575 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 82 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 300 mOhms à 5,4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF630NPBF
SP001564792

21:47:50 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,17000 1,17
10 1,04700 10,47
100 0,81600 81,60
500 0,67406 337,03
1 000 0,53215 532,15

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