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Référence Digi-Key IRF6218PBF-ND
Quantité disponible 2 334
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF6218PBF

Description MOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB
Description étendue P-Channel 150V 27A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF6218PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 27 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2210pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 150 mOhms à 16A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF6218PBF
SP001564812

10:35:57 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,40000 2,40
10 2,16000 21,60
100 1,73570 173,57
500 1,42604 713,02
1 000 1,18156 1 181,56

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