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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF540ZPBF-ND
Quantité disponible 2 075
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF540ZPBF

Description MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 36A (Tc) 92W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF540Z/ZS/ZL
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF540Z Saber Model
IRF540Z Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 36 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1770pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 92 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 26,5 mOhms à 22A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF540ZPBF
SP001561896

19:44:24 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,52000 1,52
10 1,35900 13,59
100 1,05960 105,96
500 0,87534 437,67
1 000 0,69106 691,06

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