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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF540NPBF-ND
Quantité disponible 14 328
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF540NPBF

Description MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF540NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF540NPBF Saber Model
IRF540NPBF Spice Model
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 44 mOhms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 71nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1960pF à 25V
Puissance max. 130W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF540NPBF
64-0092PBF
64-0092PBF-ND
SP001561906

22:25:36 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,37000 1,37
10 1,22400 12,24
100 0,95440 95,44
500 0,78844 394,22
1 000 0,62245 622,45

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