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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF540NPBF-ND
Quantité disponible 10 757
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF540NPBF

Description MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 33A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF540NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF540NPBF Saber Model
IRF540NPBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 71 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1960 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 130 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 44 mOhms à 16 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF540NPBF
64-0092PBF
64-0092PBF-ND
SP001561906

06:17:32 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,35000 1,35
10 1,21200 12,12
100 0,94480 94,48
500 0,78048 390,24
1 000 0,61618 616,18

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