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Référence Digi-Key IRF530NPBF-ND
Quantité disponible 76
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF530NPBF

Description MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 17A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 37 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 920 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 70 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 90 mOhms à 9 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF530NPBF
SP001570120

06:11:14 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,05000 1,05
10 0,93600 9,36
100 0,73010 73,01
500 0,60310 301,55
1 000 0,47614 476,14

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