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Référence Digi-Key IRF5210PBF-ND
Quantité disponible 2 217
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF5210PBF

Description MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
Description étendue P-Channel 100V 40A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF5210PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF5210PBF Saber Model
IRF5210PBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN LeadFrame BOM Chg 20/May/2016
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 180 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2700 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 60 mOhms à 24 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF5210PBF
SP001559642

07:10:05 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,28000 2,28
10 2,04800 20,48
100 1,64650 164,65
500 1,35278 676,39
1 000 1,12088 1 120,88

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