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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF5210PBF-ND
Quantité disponible 2 940
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF5210PBF

Description MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 5 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF5210PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF5210PBF Saber Model
IRF5210PBF Spice Model
Conception/spécification PCN LeadFrame BOM Chg 20/May/2016
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 60 mOhms à 24A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 180nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2700pF à 25V
Puissance max. 200W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF5210PBF
SP001559642

08:45:10 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,30000 2,30
10 2,06900 20,69
100 1,66330 166,33
500 1,36656 683,28
1 000 1,13229 1 132,29

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