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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF520NPBF-ND
Quantité disponible 1 017
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF520NPBF

Description MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF520NPbF
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF520N Saber Model
IRF520N Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 330 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 48 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 200 mOhms à 5,7 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF520NPBF
SP001571310

12:44:54 3/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,14000 1,14
10 1,02300 10,23
100 0,79800 79,80
500 0,65916 329,58
1 000 0,52038 520,38

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