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Référence Digi-Key IRF4905LPBF-ND
Quantité disponible 1 099
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF4905LPBF

Description MOSFET P-CH 55V 42A TO-262
Description étendue P-Channel 55V 42A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF4905(S,L)PbF
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF4905LPBF Saber Model
IRF4905LPBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Copper Plating Update 31/Aug/2015
Assemblage/origine PCN D2PAK Additional Assembly Site 17/Dec/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 42 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 180 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3500 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 170 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 20 mOhms à 42 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-262
Boîtier TO-262-3, broches longues, I²Pak, TO-262AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 64-2156PBF
64-2156PBF-ND
SP001563376

21:23:51 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,58000 2,58
10 2,31200 23,12
100 1,85790 185,79
500 1,52644 763,22
1 000 1,26477 1 264,77

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