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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF3710ZPBF-ND
Quantité disponible 3 475
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF3710ZPBF

Description MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF3710Z(S,L)PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF3710ZLPBF Saber Model
IRF3710ZLPBF Spice Model
Assemblage/origine PCN Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 59A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 18 mOhms à 35A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 120nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2900pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF3710ZPBF
SP001564400

03:27:11 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,67000 1,67
10 1,50000 15,00
100 1,20530 120,53
500 0,99026 495,13
1 000 0,82050 820,50

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