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Référence Digi-Key IRF3710ZPBF-ND
Quantité disponible 3 374
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF3710ZPBF

Description MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 59A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF3710Z(S,L)PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF3710ZLPBF Saber Model
IRF3710ZLPBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 59A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 120nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2900pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 18 mOhms à 35A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF3710ZPBF
SP001564400

18:23:04 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,70000 1,70
10 1,52600 15,26
100 1,22660 122,66
500 1,00780 503,90
1 000 0,83503 835,03

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