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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF3710PBF-ND
Quantité disponible 2 610
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF3710PBF

Description MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF3710PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF3710PBF Saber Model
IRF3710PBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Categories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 57A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 130nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3130pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 23 mOhms à 28A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF3710PBF
SP001551058

05:18:33 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,93000 1,93
10 1,73700 17,37
100 1,39630 139,63
500 1,14722 573,61
1 000 0,95054 950,54

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