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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF3708PBF-ND
Quantité disponible 21 229
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF3708PBF

Description MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
Description étendue N-Channel 30V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF3708(S,L)PbF
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Ressources de conception IRF3708 Saber Model
IRF3708 Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Barcode Label Update 24/Feb/2017
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 62 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,8V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2417 pF à 15 V
Vgs (max.) ±12 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 87 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 12 mOhms à 15 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF3708PBF
SP001553964

21:07:51 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,60000 1,60
10 1,44400 14,44
100 1,16120 116,12
500 0,95402 477,01
1 000 0,79049 790,49

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