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Référence Digi-Key IRF3708PBF-ND
Quantité disponible 21 394
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF3708PBF

Description MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
Description étendue N-Channel 30V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 62 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,8V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2417 pF à 15 V
Vgs (max.) ±12 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 87 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 12 mOhms à 15 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF3708PBF
SP001553964

12:22:25 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,51000 1,51
10 1,36100 13,61
100 1,09370 109,37
500 0,89860 449,30
1 000 0,74455 744,55

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