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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF3703PBF-ND
Quantité disponible 3 220
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF3703PBF

Description MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF3703PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 210A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,8 mOhms à 76A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 209nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 8250pF à 25V
Puissance max. 3,8W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF3703PBF
SP001574662

12:58:44 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,51000 3,51
10 3,15200 31,52
100 2,58200 258,20
500 2,19802 1 099,01
1 000 1,85376 1 853,76

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