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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF3703PBF-ND
Quantité disponible 3 219
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF3703PBF

Description MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
Description étendue N-Channel 30V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF3703PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 210 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 209 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8250 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,8 W (Ta), 230 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,8 mOhms à 76 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF3703PBF
SP001574662

14:13:02 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,47000 3,47
10 3,12000 31,20
100 2,55600 255,60
500 2,17588 1 087,94
1 000 1,83508 1 835,08

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