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Référence Digi-Key IRF2907ZPBF-ND
Quantité disponible 3 002
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF2907ZPBF

Description MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
Description étendue N-Channel 75V 160A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 160 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 270nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7500pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 mOhms à 75A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF2907ZPBF
SP001571154

11:30:15 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,05000 3,05
10 2,74100 27,41
100 2,24590 224,59
500 1,91192 955,96
1 000 1,61246 1 612,46

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