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Référence Digi-Key IRF2907ZPBF-ND
Quantité disponible 2 102
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF2907ZPBF

Description MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
Description étendue N-Channel 75V 160A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 160 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 270 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7500 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 mOhms à 75 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF2907ZPBF
SP001571154

00:42:52 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,15000 3,15
10 2,83100 28,31
100 2,31940 231,94
500 1,97448 987,24
1 000 1,66522 1 665,22

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