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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF2807ZPBF-ND
Quantité disponible 1 584
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF2807ZPBF

Description MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
Description étendue N-Channel 75V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF2807Z(S,L)PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF2807Z Saber Model
IRF2807Z Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Categories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 110nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3270pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 9,4 mOhms à 53A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF2807ZPBF
SP001574688

05:27:12 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,81000 1,81
10 1,62800 16,28
100 1,30840 130,84
500 1,07498 537,49
1 000 0,89069 890,69

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