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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF2807ZPBF-ND
Quantité disponible 2 086
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF2807ZPBF

Description MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF2807Z(S,L)PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF2807Z Saber Model
IRF2807Z Spice Model
Assemblage/origine PCN Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 75V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 75A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 9,4 mOhms à 53A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 110nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3270pF à 25V
Puissance max. 170W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF2807ZPBF
SP001574688

14:26:55 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,78000 1,78
10 1,59900 15,99
100 1,28560 128,56
500 1,05628 528,14
1 000 0,87520 875,20

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