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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF2204PBF-ND
Quantité disponible 1 482
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF2204PBF

Description MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB
Description étendue N-Channel 40V 210A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF2204PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 210 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 200nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5890pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 330 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,6 mOhms à 130A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF2204PBF
SP001576552

04:47:49 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,80000 2,80
10 2,51600 25,16
100 2,02190 202,19
500 1,66118 830,59
1 000 1,37640 1 376,40

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