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Référence Digi-Key IRF1404PBF-ND
Quantité disponible 2 132
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF1404PBF

Description MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
Description étendue N-Channel 40V 202A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 202 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 196 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5669 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 333 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4 mOhms à 121 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF1404PBF
SP001561374

10:50:05 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,70000 2,70
10 2,42200 24,22
100 1,94680 194,68
500 1,59950 799,75
1 000 1,32529 1 325,29

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