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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF1404LPBF-ND
Quantité disponible 4 130
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF1404LPBF

Description MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
Description étendue N-Channel 40V 162A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF1404(S,L)PbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Copper Plating Update 31/Aug/2015
Assemblage/origine PCN Warehouse Transfer 29/Jul/2015
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1435 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 162 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 200nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7360pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4 mOhms à 95A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-262
Boîtier TO-262-3, broches longues, I²Pak, TO-262AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF1404LPBF
SP001576598

16:50:56 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,57000 2,57
10 2,31200 23,12
100 1,89410 189,41
500 1,61238 806,19
1 000 1,35984 1 359,84

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