Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF1324PBF-ND
Quantité disponible 1 665
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF1324PBF

Description MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Description étendue N-Channel 24V 195A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 24V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 240 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7590 pF à 24 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 mOhms à 195 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms SP001561460

15:45:40 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,28000 3,28
10 2,94200 29,42
100 2,41020 241,02
500 2,05180 1 025,90
1 000 1,73044 1 730,44

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires