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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF1010NPBF-ND
Quantité disponible 1 309
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF1010NPBF

Description MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
Description étendue N-Channel 55V 85A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF1010NPbF
Module(s) de formation sur le produit High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Ressources de conception IRF1010NPBF Saber Model
IRF1010NPBF Spice Model
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
Page de catalogue 1434 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série HEXFET®
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 85 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 120 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3210 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 180 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 11 mOhms à 43 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF1010NPBF
SP001563032

11:03:29 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,48000 1,48
10 1,33600 13,36
100 1,07380 107,38
500 0,88226 441,13
1 000 0,73101 731,01

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