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Référence Digi-Key IPW65R190CFD-ND
Quantité disponible 3 147
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW65R190CFD

Description MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx65R190CFD
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17,5A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 7,3 A, 10 V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 730µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 68nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1850 pF à 100 V
Puissance max. 151W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW65R190CFDFKSA1
SP000905376

20:38:56 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,03000 3,03
10 2,71500 27,15
100 2,22430 222,43
500 1,89354 946,77
1 000 1,59695 1 596,95

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