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Référence Digi-Key IPW65R190CFD-ND
Quantité disponible 5 327
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW65R190CFD

Description MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
Description étendue N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx65R190CFD
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 730µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1850 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 151 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 7,3 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW65R190CFDFKSA1
SP000905376

19:24:57 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,08000 3,08
10 2,76300 27,63
100 2,26370 226,37
500 1,92706 963,53
1 000 1,62523 1 625,23

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