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Référence Digi-Key IPW65R095C7XKSA1-ND
Quantité disponible 134
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW65R095C7XKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Description étendue N-Channel 650V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW65R095C7
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Wafer Process Update 28/Sep/2016
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 590 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2140 pF à 400 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 128 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 95 mOhms à 11,8 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms SP001080128

00:15:47 2/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,33000 6,33
10 5,71700 57,17
100 4,73350 473,35
500 4,12186 2 060,93
1 000 3,59001 3 590,01

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