Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IPW65R041CFD-ND
Quantité disponible 1 881
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW65R041CFD

Description MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW65R041CFD
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 68,5A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 41 mOhms à 33,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 3,3mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 300nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 8400pF à 100V
Puissance max. 500W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW65R041CFDFKSA1
SP000756288

20:12:36 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 11,37000 11,37
10 10,45200 104,52
100 8,82750 882,75
500 7,85270 3 926,35
1 000 7,20282 7 202,82

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires