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Référence Digi-Key IPW65R041CFD-ND
Quantité disponible 1 557
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW65R041CFD

Description MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
Description étendue N-Channel 650V 68.5A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW65R041CFD
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 68,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 3,3 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 300 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8400 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 500 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 41 mOhms à 33,1 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW65R041CFDFKSA1
SP000756288

17:25:47 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 11,95000 11,95
10 10,98500 109,85
100 9,27770 927,77
500 8,25320 4 126,60

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