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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPW65R037C6FKSA1-ND
Quantité disponible 168
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW65R037C6FKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW65R037C6
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™ C6
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 83,2A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 37 mOhms à 33,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 3,3mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 330nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 7240pF à 100V
Puissance max. 500W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
 
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  • Prix unitaire 12,24000
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms SP000756284

16:43:07 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 13,25000 13,25
10 12,17500 121,75
100 10,28280 1 028,28
500 9,14732 4 573,66
1 000 8,39029 8 390,29

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