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Référence Digi-Key IPW65R037C6FKSA1-ND
Quantité disponible 394
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW65R037C6FKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Description étendue N-Channel 650V 83.2A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW65R037C6
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™ C6
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 83,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 3,3 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 330 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7240 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 500 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 37 mOhms à 33,1 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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  • Prix unitaire 11,01000
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms SP000756284

06:04:36 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 13,92000 13,92
10 12,79600 127,96
100 10,80730 1 080,73

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