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Référence Digi-Key IPW60R190C6-ND
Quantité disponible 950
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R190C6

Description MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
Description étendue N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx60R190C6
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 630 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 151 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 9,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW60R190C6FKSA1
SP000621160

14:04:27 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,88000 2,88
10 2,58600 25,86
100 2,11850 211,85
500 1,80348 901,74
1 000 1,52100 1 521,00

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