Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IPW60R190C6-ND
Quantité disponible 960
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R190C6

Description MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
Description étendue N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx60R190C6
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20,2A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 630µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400pF à 100V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 151 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 9,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW60R190C6FKSA1
SP000621160

06:03:15 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,96000 2,96
10 2,65900 26,59
100 2,17800 217,80
500 1,85408 927,04
1 000 1,56369 1 563,69

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires