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Référence Digi-Key IPW60R125C6-ND
Quantité disponible 697
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R125C6

Description MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Description étendue N-Channel 600V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPA60R125C6
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 960µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 96nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2127pF à 100V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 219W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 125 mOhms à 14,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW60R125C6FKSA1
SP000641912

09:49:49 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,48000 4,48
10 4,02300 40,23
100 3,29600 329,60
500 2,80590 1 402,95
1 000 2,36643 2 366,43

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