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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPW60R125C6-ND
Quantité disponible 703
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R125C6

Description MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPA60R125C6
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 125 mOhms à 14,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 960µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 96nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2127pF à 100V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
 
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  • Prix unitaire 5,28000
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW60R125C6FKSA1
SP000641912

05:46:41 12/11/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,40000 4,40
10 3,95300 39,53
100 3,23870 323,87
500 2,75708 1 378,54
1 000 2,32525 2 325,25

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