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Référence Digi-Key IPW60R099CP-ND
Quantité disponible 720
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R099CP

Description MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
Description étendue N-Channel 650V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW60R099CP
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2800pF à 100V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 255 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 18A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Colis standard ? 30
Autres Noms IPW60R099CPFKSA1
IPW60R099CPXK
IPW60R099CSX
SP000067147

15:32:38 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 7,36000 7,36
10 6,64800 66,48
100 5,50390 550,39
500 4,79274 2 396,37
1 000 4,17432 4 174,32

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