Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IPW60R099CP-ND
Quantité disponible 720
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R099CP

Description MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW60R099CP
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 18A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,2mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 80nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2800pF à 100V
Puissance max. 255W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms IPW60R099CPFKSA1
IPW60R099CPXK
IPW60R099CSX
SP000067147

11:10:44 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 7,23000 7,23
10 6,53200 65,32
100 5,40810 540,81
500 4,70936 2 354,68
1 000 4,10169 4 101,69

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires