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Référence Digi-Key IPW60R099C7XKSA1-ND
Quantité disponible 324
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R099C7XKSA1

Description MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Description étendue N-Channel 600V 14A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW60R099C7
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™ C7
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 490 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1819 pF à 400 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 110 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 9,7 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms SP001298004

18:06:36 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,88000 5,88
10 5,31700 53,17
100 4,40210 440,21
500 3,83332 1 916,66
1 000 3,33869 3 338,69

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