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Référence Digi-Key IPW60R099C6-ND
Quantité disponible 811
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R099C6

Description MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247
Description étendue N-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx60R099C6
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 37,9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 1,21 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 119 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2660 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 278 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 18,1 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW60R099C6FKSA1
SP000641908

00:57:56 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,15000 6,15
10 5,52300 55,23
100 4,52530 452,53
500 3,85228 1 926,14
1 000 3,24891 3 248,91

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