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Référence Digi-Key IPW60R099C6-ND
Quantité disponible 1 338
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R099C6

Description MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247
Description étendue N-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx60R099C6
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 37,9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,21mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 119nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2660pF à 100V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 278W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 18,1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW60R099C6FKSA1
SP000641908

07:40:25 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,33000 6,33
10 5,67800 56,78
100 4,65220 465,22
500 3,96038 1 980,19
1 000 3,34008 3 340,08

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