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Référence Digi-Key IPW60R075CPIN-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R075CP

Description MOSFET N-CH 650V 39A TO-247
Description étendue N-Channel 650V 39A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW60R075CP
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Page de catalogue 1532 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 39 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 1,7 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 116 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4000 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 313 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 75 mOhms à 26 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW60R075CPFKSA1
IPW60R075CPIN
IPW60R075CPXK
SP000358192

18:24:25 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 11,61000 11,61
10 10,49300 104,93
100 8,68730 868,73
500 7,56472 3 782,36

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