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Référence Digi-Key IPW60R070P6XKSA1-ND
Quantité disponible 593
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R070P6XKSA1

Description MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Description étendue N-Channel 600V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW60R070P6
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Solid State RF Powered Oven Solution
Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™ P6
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 53,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 1,72 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4750 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 391 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 70 mOhms à 20,6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms SP001114660

04:45:56 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 7,57000 7,57
10 6,83900 68,39
100 5,66230 566,23
500 4,93064 2 465,32
1 000 4,29443 4 294,43

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