Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IPW60R070C6-ND
Quantité disponible 326
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R070C6

Description MOSFET N-CH 600V 53A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW60R070C6
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 53A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 70 mOhms à 25,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,72mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 170nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3800pF à 100V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW60R070C6FKSA1
SP000645060

06:09:37 12/11/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 7,31000 7,31
10 6,60000 66,00
100 5,46380 546,38
500 4,75774 2 378,87
1 000 4,14384 4 143,84

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires