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Référence Digi-Key IPW60R045CPIN-ND
Quantité disponible 1 562
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R045CP

Description MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
Description étendue N-Channel 650V 60A (Tc) 431W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW60R045CP
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Page de catalogue 1532 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 3mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 190nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6800pF à 100V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 431W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 45 mOhms à 44A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Colis standard ? 240
Autres Noms IPW60R045CP-ND
IPW60R045CPFKSA1
IPW60R045CPIN
IPW60R045CPXK
IPW60R045CSX
SP000067149

16:24:37 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 13,95000 13,95
10 12,81500 128,15
100 10,82350 1 082,35
500 9,62828 4 814,14
1 000 8,83145 8 831,45

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