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Référence Digi-Key IPW60R041C6-ND
Quantité disponible 670
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R041C6

Description MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
Description étendue N-Channel 600V 77.5A (Tc) 481W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW60R041C6
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 77,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 2,96 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 290 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6530 pF à 10 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 481 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 41 mOhms à 44,4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Boîtier TO-247-3
 
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  • Prix unitaire 5,02000
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW60R041C6FKSA1
SP000718886

02:44:52 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 10,95000 10,95
10 10,06200 100,62
100 8,49830 849,83
500 7,55984 3 779,92
1 000 6,93421 6 934,21

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