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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPW60R041C6-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IPW60R041C6

Description MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPW60R041C6
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 77,5A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 41 mOhms à 44,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 2,96mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 290nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6530pF à 10V
Puissance max. 481W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur PG-TO247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 240
Autres Noms IPW60R041C6FKSA1
SP000718886

16:24:16 12/2/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 11,06000 11,06
10 10,16500 101,65
100 8,58480 858,48
500 7,63678 3 818,39
1 000 7,00477 7 004,77

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