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Référence Digi-Key IPU50R950CEAKMA1-ND
Quantité disponible 927
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPU50R950CEAKMA1

Description MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
Description étendue N-Channel 500V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 heures)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPD50R950CE, IPU50R950CE
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™ CE
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 13V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10,5nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 231pF à 100V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 53 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 950 mOhms à 1,2A, 13V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO251-3
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 500
Autres Noms SP001292872

12:57:48 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,53000 0,53
10 0,45300 4,53
100 0,33830 33,83
500 0,26584 132,92
1 000 0,20543 205,43

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