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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP90R1K2C3-ND
Quantité disponible 1 112
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP90R1K2C3

Description MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
Description étendue N-Channel 900V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP90R1K2C3
IPP90R1K2C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 310 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 710 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 83 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,2 Ohms à 2,8 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP90R1K2C3XKSA1
SP000411302
SP000683096

17:26:15 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,42000 1,42
10 1,27100 12,71
100 0,99100 99,10
500 0,81864 409,32
1 000 0,64628 646,28

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