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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP90R1K2C3-ND
Quantité disponible 1 154
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP90R1K2C3

Description MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP90R1K2C3
IPP90R1K2C3
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,1A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,2 Ohms à 2,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 310µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 28nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 710pF à 100V
Puissance max. 83W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP90R1K2C3XKSA1
SP000411302
SP000683096

20:05:17 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,43000 1,43
10 1,28400 12,84
100 1,00110 100,11
500 0,82696 413,48
1 000 0,65286 652,86

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