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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP80P03P4L04AKSA1-ND
Quantité disponible 3 002
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP80P03P4L04AKSA1

Description MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx80P03P4L-04
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,4 mOhms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 253µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 160nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 11300pF à 25V
Puissance max. 137W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms IPP80P03P4L-04
IPP80P03P4L-04-ND
SP000396390

06:47:03 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,54000 1,54
10 1,37500 13,75
100 1,07220 107,22
500 0,88574 442,87
1 000 0,69926 699,26

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