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Référence Digi-Key IPP80P03P4L04AKSA1-ND
Quantité disponible 2 811
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP80P03P4L04AKSA1

Description MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Description étendue P-Channel 30V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx80P03P4L-04
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série OptiMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 253 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 160 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11300 pF à 25 V
Vgs (max.) +5V, -16V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 137 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,4 mOhms à 80 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms IPP80P03P4L-04
IPP80P03P4L-04-ND
SP000396390

04:25:46 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,52000 1,52
10 1,36100 13,61
100 1,06140 106,14
500 0,87682 438,41
1 000 0,69222 692,22

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