Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP65R190CFDXKSA1-ND
Quantité disponible 1 096
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP65R190CFDXKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Description étendue N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx65R190CFD
Produit représenté Data Processing Systems
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 730 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1850 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 151 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 7,3 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160

03:28:36 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,74000 2,74
10 2,45900 24,59
100 2,01500 201,50
500 1,71528 857,64
1 000 1,44663 1 446,63

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires