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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP65R190CFDXKSA1-ND
Quantité disponible 758
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP65R190CFDXKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx65R190CFD
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17,5A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 7,3 A, 10 V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 730µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 68nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1850 pF à 100 V
Puissance max. 151W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160

03:57:32 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,76000 2,76
10 2,48400 24,84
100 2,03550 203,55
500 1,73274 866,37
1 000 1,46135 1 461,35

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