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Référence Digi-Key IPP65R190CFDXKSA1-ND
Quantité disponible 1 137
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP65R190CFDXKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Description étendue N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx65R190CFD
Produit représenté Data Processing Systems
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종류
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17,5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 730µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 68nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1850 pF à 100 V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 151W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 7,3 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160

21:36:16 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,81000 2,81
10 2,52800 25,28
100 2,07150 207,15
500 1,76342 881,71
1 000 1,48723 1 487,23

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