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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP65R099C6XKSA1-ND
Quantité disponible 313
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP65R099C6XKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 38A TO220
Description étendue N-Channel 650V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx65R099C6
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 1,2 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2780 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 278 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 12,8 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP000895218

17:07:43 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,06000 6,06
10 5,47500 54,75
100 4,53290 453,29
500 3,94722 1 973,61
1 000 3,43790 3 437,90

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