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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP65R099C6XKSA1-ND
Quantité disponible 373
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP65R099C6XKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 38A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx65R099C6
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 12,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,2mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 15nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2780pF à 100V
Puissance max. 278W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP000895218

06:28:45 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,76000 5,76
10 5,21000 52,10
100 4,31300 431,30
500 3,75566 1 877,83
1 000 3,27107 3 271,07

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