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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP65R074C6XKSA1-ND
Quantité disponible 451
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP65R074C6XKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP65R074C6
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 57,7A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 74 mOhms à 13,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,4mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 17nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 3020pF à 100V
Puissance max. 480,8W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP000898650

04:29:11 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 8,72000 8,72
10 7,88200 78,82
100 6,52570 652,57
500 5,68248 2 841,24
1 000 4,94926 4 949,26

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