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Référence Digi-Key IPP65R074C6XKSA1-ND
Quantité disponible 944
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP65R074C6XKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
Description étendue N-Channel 650V 57.7A (Tc) 480.8W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP65R074C6
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 57,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 1,4 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3020 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 480,8 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 74 mOhms à 13,9 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP000898650

08:27:44 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 8,64000 8,64
10 7,80300 78,03
100 6,46000 646,00
500 5,62524 2 812,62
1 000 4,89940 4 899,40

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