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Référence Digi-Key IPP65R045C7XKSA1-ND
Quantité disponible 916
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP65R045C7XKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3
Description étendue N-Channel 650V 46A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP65R045C7
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Wafer Process Update 28/Sep/2016
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™ C7
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 46 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1,25mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 93nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4340pF à 400V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 227 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 45 mOhms à 24,9A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP000929422

04:50:49 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 13,75000 13,75
10 12,63800 126,38
100 10,67350 1 067,35
500 9,49480 4 747,40
1 000 8,70902 8 709,02

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