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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP65R045C7XKSA1-ND
Quantité disponible 582
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP65R045C7XKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP65R045C7
Assemblage/origine PCN Wafer Process Update 28/Sep/2016
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™ C7
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 46A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 45 mOhms à 24,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1,25mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 93nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 4340pF à 400V
Puissance max. 227W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP000929422

08:05:28 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 13,51000 13,51
10 12,41800 124,18
100 10,48770 1 048,77
500 9,32960 4 664,80
1 000 8,55749 8 557,49

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