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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP60R950C6-ND
Quantité disponible 249
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R950C6

Description MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
Description étendue N-Channel 600V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx60R950C6
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 130 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 280 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 37 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 950 mOhms à 1,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP60R950C6XKSA1
SP000629364

02:25:31 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,07000 1,07
10 0,95000 9,50
100 0,74070 74,07
500 0,61188 305,94
1 000 0,48306 483,06

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