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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP60R950C6-ND
Quantité disponible 255
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R950C6

Description MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
Description étendue N-Channel 600V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx60R950C6
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 130µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 13nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 280pF à 100V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 950 mOhms à 1,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP60R950C6XKSA1
SP000629364

10:06:25 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,03000 1,03
10 0,91900 9,19
100 0,71730 71,73
500 0,59250 296,25
1 000 0,46776 467,76

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