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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP60R950C6-ND
Quantité disponible 3 265
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R950C6

Description MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPx60R950C6
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 950 mOhms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 130µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 13nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 280pF à 100V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP60R950C6XKSA1
SP000629364

12:55:39 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,01000 1,01
10 0,90300 9,03
100 0,70480 70,48
500 0,58220 291,10
1 000 0,45962 459,62

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