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Référence Digi-Key IPP60R299CPXKSA1-ND
Quantité disponible 6 500
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R299CPXKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Description étendue N-Channel 650V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP60R299CP
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016
Page de catalogue 1533 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 440µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 29nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100pF à 100V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 96 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 299 mOhms à 6,6A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Colis standard ? 500
Autres Noms IPP60R299CP
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IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPXTIN-ND
SP000084280

12:02:31 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,71000 2,71
10 2,43300 24,33
100 1,95570 195,57
500 1,60676 803,38
1 000 1,33131 1 331,31

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