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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP60R299CPXKSA1-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R299CPXKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP60R299CP
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Conception/spécification PCN Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016
Page de catalogue 1533 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 299 mOhms à 6,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 440µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 29nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1100pF à 100V
Puissance max. 96W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Colis standard ? 500
Autres Noms IPP60R299CP
IPP60R299CPAKSA1
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IPP60R299CPX
IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPXTIN-ND
SP000084280

19:14:21 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,66000 2,66
10 2,39100 23,91
100 1,92170 192,17
500 1,57880 789,40
1 000 1,30815 1 308,15

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