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Référence Digi-Key IPP60R250CPXKSA1-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R250CPXKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Description étendue N-Channel 650V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP60R250CP
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 440 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1200 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 104 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 250 mOhms à 7,8 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP60R250CP
IPP60R250CPAKSA1
IPP60R250CPIN
IPP60R250CPIN-ND
IPP60R250CPXK
SP000358136

05:46:40 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,82000 2,82
10 2,53200 25,32
100 2,07480 207,48
500 1,76628 883,14
1 000 1,48963 1 489,63

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