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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP60R250CPXKSA1-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R250CPXKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP60R250CP
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Conception/spécification PCN Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016
Page de catalogue 1531 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 250 mOhms à 7,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 440µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 35nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1200pF à 100V
Puissance max. 104W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms IPP60R250CP
IPP60R250CPAKSA1
IPP60R250CPIN
IPP60R250CPIN-ND
IPP60R250CPXK
SP000358136

04:38:08 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,85000 2,85
10 2,55800 25,58
100 2,09590 209,59
500 1,78426 892,13
1 000 1,50479 1 504,79

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