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Référence Digi-Key IPP60R180C7XKSA1-ND
Quantité disponible 1 351
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R180C7XKSA1

Description MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Description étendue N-Channel 600V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP60R180C7
Produit représenté Data Processing Systems
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™ C7
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 260 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1080 pF à 400 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 68 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 5,3 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms SP001277624

22:42:36 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,72000 2,72
10 2,44100 24,41
100 2,00040 200,04
500 1,70288 851,44
1 000 1,43618 1 436,18

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