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Présentation des produits
Référence Digi-Key IPP60R099CPXKSA1-ND
Quantité disponible 614
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R099CPXKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP60R099CP
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Conception/spécification PCN Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016
Page de catalogue 1533 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 18A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,2mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 80nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2800pF à 100V
Puissance max. 255W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
 
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IPP60R099CSXTIN
IPP60R099CSXTIN-ND
SP000057021

03:50:26 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,75000 6,75
10 6,10500 61,05
100 5,05380 505,38
500 4,40076 2 200,38
1 000 3,83293 3 832,93

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