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Référence Digi-Key IPP60R099CPXKSA1-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IPP60R099CPXKSA1

Description MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
Description étendue N-Channel 650V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IPP60R099CP
Module(s) de formation sur le produit CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Produit représenté Data Processing Systems
Conception/spécification PCN Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016
Page de catalogue 1533 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Infineon Technologies

Série CoolMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 1,2 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2800 pF à 100 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 255 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 99 mOhms à 18 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur PG-TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
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Autres Noms IPP60R099CP
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IPP60R099CSX
IPP60R099CSXTIN
IPP60R099CSXTIN-ND
SP000057021

21:22:07 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,68000 6,68
10 6,04300 60,43
100 5,00290 500,29
500 4,35644 2 178,22
1 000 3,79432 3 794,32

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